Baru-baru ini, kelompok penelitian Profesor Qiu Min dari Westlake University berhasil mengembangkan jenis baru superlens silikon karbida homogen (4H-SIC), yang memberikan solusi baru untuk masalah drift termal dalam pemrosesan laser daya tinggi .
Makalah terkait diterbitkan dalam bahan canggih dengan judul "4H-SIC Metalens: mengurangi efek drift termal dalam iradiasi laser daya tinggi" .
Dibandingkan dengan lensa objektif komersial konvensional, superlens ini mempertahankan kinerja fokus terbatas difraksi sambil menunjukkan stabilitas termal yang sangat baik . dapat mempertahankan kinerja yang stabil di bawah iradiasi laser daya tinggi jangka panjang dan hampir tidak terpengaruh, termasuk dalam panci-panci, . pencapaian ini disebabkan oleh sifat-sifat yang sangat terpengaruh, termasuk termal-sic {{4}. dan resistensi awal, menjadikannya bahan yang ideal untuk perangkat optik berkinerja tinggi .
Superlens baru memanfaatkan sepenuhnya konduktivitas termal yang tinggi dan karakteristik kerugian rendah dari 4H-SIC, secara efektif menekan efek drift termal, dan dengan demikian menghilangkan ketergantungan pada sistem pendingin yang kompleks . terobosan teknologi ini, tidak hanya memberikan dukungan utama untuk sistem laser yang berdaya tinggi, tetapi juga membawa kemungkinan baru pada fields seperti field-fields seperti halnya bidang precidasi, tetapi juga membuat banyak kemungkinan untuk fields seperti fields seperti fields seperti halnya bidang precidasi, tetapi juga membuat banyak kemungkinan untuk field-fields seperti halnya polisi seperti polisi seperti polisi seperti halnya. dll ., terutama di area dengan persyaratan yang sangat tinggi untuk akurasi pemrosesan dan kualitas permukaan . 4 H-SIC Superlens akan memainkan peran penting dan memberikan solusi yang lebih efisien dan kompak untuk aplikasi laser daya tinggi .
Sebelumnya, Westlake University juga mengumumkan terobosan lain dalam Teknologi Silicon Carbide: Westlake Instruments, diinkubasi oleh Westlake University, berhasil mengembangkan {12- inci silicon carbide substrat laser laser stripping {slicing silicon silicon carbide Subtrate {{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{larger larger las {ultra las {ultra las {yang sangat luas poin "Di dalam materi untuk mencapai pengupasan otomatis lapisan ingot demi lapisan . kecepatan irisan secara signifikan ditingkatkan dibandingkan dengan pemotongan tradisional, dan kehilangan material berkurang 50%.
Dua terobosan ini menunjukkan bahwa Universitas Westlake berada dalam posisi terkemuka internasional dalam penelitian dan pengembangan teknologi silikon karbida silikon, dan memberikan dukungan teknis utama untuk sistem laser daya tinggi, pembuatan presisi, dirgantara dan industri energi baru .
