University of Tokyo telah berhasil mengembangkan teknologi baru untuk pemrosesan lubang mikro laser dari substrat kaca
Baru-baru ini, Universitas Tokyo mengumumkan keberhasilan pengembangan "teknologi pemrosesan lubang mikro laser" untuk generasi substrat kaca semikonduktor berikutnya, yang dapat mencapai presisi tinggi, aperture yang sangat kecil dan pemrosesan lubang mikro rasio aspek tinggi pada bahan kaca. Substrat kaca yang digunakan dalam percobaan adalah "EN-A1" yang diproduksi oleh AGC.
Dengan bantuan laser ultraviolet pulsa ultra-pendek, tim telah mencapai pemrosesan presisi tingkat mikron dari bahan kaca-diameter lubang penetrasi kurang dari 10 mikron, dan rasio aspek dapat mencapai 20: 1. Sebelumnya, sulit untuk menyiapkan struktur lubang rasio aspek tinggi berdasarkan proses etsa larutan asam, dan teknologi pemrosesan langsung laser ultraviolet yang dalam tidak hanya menerobos bottleneck ini, tetapi juga mencapai pemrosesan lubang berkualitas tinggi yang bebas retak. Selain itu, proses ini tidak memerlukan langkah -langkah pengolahan kimia, yang secara signifikan dapat mengurangi beban lingkungan yang disebabkan oleh pengolahan limbah cair.
Gambar mikroskopis mikropori yang dibor pada kaca en-a1 dari atas dan samping
Prestasi ini merupakan tonggak penting dalam teknologi pasca pemrosesan manufaktur semikonduktor generasi berikutnya. Sebagai bahan inti substrat dan transisi material interposer ke berbasis kaca, teknologi ini memberikan solusi utama untuk pemrosesan substrat kaca melalui lubang. Di masa depan, diharapkan untuk mempromosikan pengembangan perangkat semikonduktor menuju ukuran yang lebih kecil dan kompleksitas integrasi yang lebih tinggi dalam teknologi chiplet.
